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2026年7月28日，武漢新微半導體設備產品十分有限裝修公司（代稱“新微半導體設備產品”）敲定，根據砷化鎵（GaAs）產品的IPD（Integrated Passive Devices）融合型無源電子器件IP2AB11的工藝制造定制開發高達，高達量產u盤規格。該制造應具的低料工費、中大型化、高Q值和高可以信賴性等特性優勢與劣勢，滿足需要到現階段的市場對紅外光射頻前段職能逐漸SEO優化的的標準，于是改變如紅外光濾波器、電機功率分配比例器、交叉耦合器、雙工器、圖像電壓放大器內配備與偏置網站等各種無源電路系統的中大型化與高體積融合型，可很廣操作于溝通移動信號塔、紅外光和厘米波溝通等操作研究方向。IP2AB11生產工序制造選擇兩層復合互連線，表中第十五層復合板厚為4μm,主要包括優勢于低頻設計方案的氣橋生產工序，就能夠合理以減少交疊線間的合體并減少對地附生電感。

IP2AB11制作工藝工藝重要參數指標

IP2AB11工藝制程橫截面圖.png

IP2AB11生產技術生產工藝橫截面積圖

IP2AB11工藝制程典型無源元器件示例圖

隨著時間推移微網上技術不停的發展進步，網上物品這對SWaP-C（Size Weight and Power – Cost)想要不斷變化，IPD技術是一個種兼備高Q值、低耗率的特征的微波rf射頻性能版塊化控制電路設計制作技術，既能能當作無源性能版塊專門處理運用，性能版塊化到微波rf射頻機械設備或平臺中，也能能性能版塊化有源功率器件生成變得更加有難度性能性能版塊，滿足了使用控制電路設計制作的設計制作要。

新微半導體推出IPD IP2AB11工藝制程，豐富射頻產品工藝選擇

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