2025年4月14日，昆明新微半導體技術材料有限工司英文工司（簡稱為“新微半導體技術材料”）敲定，用場景砷化鎵（GaAs）襯底的集成系統式無源器材（Integrated Passive Device, IPD）IP3PI工序系統搭建已完成。光憑高Q值、高集成系統式度和高擊穿電壓等非常好的的本質特征，能夠滿足之前市場對微波射頻射頻前沿實用功能持續調優的特殊要求。該工序系統能能帶來高靠譜性、良好性能方面、更小體積大小并且更高產出價的無源貼牌好產品，四輪驅動客人在無線數字光纖通訊網絡、微波射頻和直徑波光纖通訊網絡等方向刷快更快的用效果好。

新微半導體GaAs IPD 工藝平臺典型無源元器件示例

IP3PI工藝流程機構網站一種多層裝修材料互聯網構造的一體化無源元元器件封裝封裝機構網站，操作低介電裝修材料是電感和電感邊沿的添充層，在加強電感和電感耐壓性的而且，還不會輕易減小電感體積。該機構網站是能為用戶出具28V（IP3PI13）和50V（IP3PI12）兩大類辦公線電壓使用，也便是說說，用戶是能依據現實情況意愿具備靈活性高地使用190 pF/mm2 或150 pF/mm2的電感方案，導致擁有區別意愿。除外，該機構網站還是能出具50Ω原則方塊內阻器和0.5Ω小方塊內阻器或者電感等無源元元器件封裝封裝來保持緊湊型的方案。

新微半導體器件GaAs IPD工藝設計的平臺典范關鍵因素叁數

當今社會的rfrf射頻元電子元電子元器件打包封口業內，可能廠品融合度連續一直提升自己以其任務頻段的連續一直增強，對軟件操作操作系統級打包封口操作操作系統也操作操作系統闡述了高些的需求量，實用功能一體化運放原理必須 以軟件操作操作系統級打包封口的結構類型將有所差異的一體化運放原理融合到一齊，新微半導體設備高Q無源融合工序網絡操作系統在6吋砷化鎵襯底上，造成有所差異的元電子元電子元器件打包封口，可以進行很多無源組件的高硬度融合，很大程度合理安排了一體化運放原理總面積。該工序網絡操作系統不只高于了50V任務交流電壓下的任務生存期>1.0E+06小時候的業內必須，一并也進行了更嚴酷的條件剪切力（TC、HAST）自測，隨著該工序網絡操作系統對設備廠品的使用性得以了明顯的推展。不同于老式的無源元電子元電子元器件打包封口工序，IP3PI工序網絡操作系統可以是rfrf射頻軟件操作操作系統級打包封口(SiP)展示 高可玩性的方案格式。

新微半導GaAs IPD制作工藝軟件平臺橫受力圖

關鍵在于更高的適用工作頻率的的需求和微波加熱厘米波技能應用軟件的著力推進，頻射前沿新產品市面 持續性穩定性的增加。新微半導行業將多方面推動集團公司的品質可靠制作和技能應用軟件資源共享特點，為的老客戶帶來了更好、更很多的頻射oem代工徹底解決規劃和貼心服務，并注力的老客戶開拓了化學物質半導行業更浩瀚無垠的適用行業發展前景。