202兩年6月18日，傷害新微半導體技術單片機芯片十分有限單位（簡稱英文“新微半導體技術單片機芯片”或“單位”）發表聲明，特征提取硅基氮化鎵（GaN-on-Si）6吋/150 mm晶圓的40V提升型（p-GaN）工作效率器材制作新工藝流程服務公司開拓結束，已經正式發布實現量產。該制作新工藝流程服務公司選擇圈內進取的無金制作新工藝流程和一體化電路設計車聯，兼容Through-GaN-Via（TGV）和Circuit-Under-Pad （CUP），相對中國傳統的硅基工作效率單片機芯片，具更低的導通電阻功率、快點的控制開關時間和更小的大小。 根據該流程APP生育的馬力電子器件通過低柵極、低導通電機最大功率電阻和高可信度性等不計其數優勢可言，為高壓低壓馬力轉移消費場景給出數據更小物理性大小、更輕稱重和更節水的處理設計方案。通過這么多優異的功能，該流程APP可以是消費華為設備用市面給出數據含有睿智高品質、更小綠地面積和更低價格的馬力企業產品，可密切用做租賃、uv租賃和記手提電腦租賃等消費華為設備鄰域。

40 V氮化鎵工作效率元器件封裝剖面示圖圖 新微光電元器40 V氮化鎵輸出功率元器生產施工技藝品臺有比較大的生產施工技藝任務欄圖標，并具備有積極的同步性和保持穩定義的生產施工技藝有效保障了。其用于的無金生產施工技藝，RC < 0.4 Ω·mm；柵極用于自緊貼生產施工技藝，會讓柵極形貌積極，且較小線寬低至0.5μm。也還用于了（觸碰孔鎢）鎢栓、晶圓界面局部變量比較平整化（CMP）等融合電路板車聯生產施工技藝，并使用Circuit-Under-Pad。其質量良好的性能得到 加盟商的非常認同感，完整功導進數家加盟商設汁。

系統設計該新工藝制法的電子器件典型示范性能參數

根據該制作工藝準備的元器件部位圖

 

新微半導體技藝設備還持有各自的耗油率外加能力水平。該能力水平主要采用了行業大面積用的硅基氮化鎵異質外加以有效降低直接費用。會因為氮化鎵和硅包括相對較大的晶格失并配及熱熱脹常數的各種不同，之所以高口感的6吋硅基氮化鎵外加具有挑站。新微半導體技藝設備外加能力水平專業團隊完成剛度宏觀調控、有源層規劃等能力水平，針對于各種不同各種不同用情景開發設計出優質化量6吋硅基氮化鎵外加流程，改變了低缺點規格的硅基氮化鎵外加，可擁有高、血壓低壓高各種不同耗油率元件用。

6吋硅基氮化鎵最大功率本質格局提醒圖及本質層重量map圖 防守即最后的沖刺，新微半導體行業行業氮化鎵輸出馬力元功率設備封裝工藝設計技術網站跑出快速度慢。新微半導體行業行業將大批停售100V、150V和650V等中、進行高壓輸出馬力元功率設備封裝批量生產工藝設計技術，要借助高效化、高頻和高不靠譜性等睿智表現形式，推動更多業主在使用類、企業、安全可靠等好幾個適用行業在大中城市放異彩。為謝期侍。